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來源：http://www.kxsigang.com 作者：帝國科技電子 2026年01月28
IQD晶體尺寸縮小的設(shè)計(jì)微型化是電子行業(yè)持續(xù)發(fā)展的趨勢
在科技飛速迭代的當(dāng)下,電子行業(yè)始終站在創(chuàng)新變革的核心前沿,而微型化設(shè)計(jì)早已從"可選優(yōu)化"升級(jí)為"必由之路".回顧過去半個(gè)多世紀(jì)的行業(yè)演進(jìn),電子設(shè)備的形態(tài)變遷堪稱震撼——從占地?cái)?shù)十平方米,運(yùn)算速度僅每秒千次級(jí)的早期電子管計(jì)算機(jī)應(yīng)用晶振,到如今可輕松放入口袋,運(yùn)算能力達(dá)每秒萬億次的智能手機(jī)與可穿戴設(shè)備,尺寸的急劇縮小與性能的指數(shù)級(jí)增長形成了鮮明對(duì)比.這一變革并非偶然,而是下游終端需求牽引,中游技術(shù)突破支撐,上游材料革新賦能的共同結(jié)果,背后是整個(gè)電子產(chǎn)業(yè)鏈對(duì)"更小,更強(qiáng),更穩(wěn)"的不懈追求,而晶體作為電子設(shè)備的"時(shí)鐘心臟",其尺寸優(yōu)化更是這場微型化浪潮中的關(guān)鍵一環(huán).以消費(fèi)電子領(lǐng)域的標(biāo)桿產(chǎn)品為例,上世紀(jì)90年代的"大哥大"重量超1公斤,機(jī)身厚度近5厘米,功能僅局限于基礎(chǔ)語音通話,而如今旗艦智能手機(jī)的厚度普遍控制在7-8毫米,重量穩(wěn)定在180-220克區(qū)間,卻集成了6.7英寸以上高清柔性屏,萬億次算力處理器,多攝影像系統(tǒng),5G/Wi-Fi6E雙模網(wǎng)絡(luò),無線充電等多元功能.更具代表性的是蘋果AppleWatch,作為可穿戴設(shè)備的標(biāo)桿,其Ultra系列厚度僅14.4毫米,重量約61克,基礎(chǔ)款厚度更是低至10.7毫米,重量30克左右,在方寸之間實(shí)現(xiàn)了心率監(jiān)測,血氧檢測,心電圖采集,運(yùn)動(dòng)軌跡追蹤,離線支付等數(shù)十項(xiàng)功能,其內(nèi)部元器件的布局精度以微米為單位,而晶振作為核心時(shí)序元件,尺寸壓縮直接為其他功能模塊騰出了寶貴空間,直觀展現(xiàn)了微型化設(shè)計(jì)的實(shí)戰(zhàn)價(jià)值.電子行業(yè)的微型化趨勢絕非局限于終端產(chǎn)品,而是貫穿從上游材料,中游制造到下游應(yīng)用的全產(chǎn)業(yè)鏈.在芯片領(lǐng)域,英特爾,臺(tái)積電,三星等巨頭持續(xù)推動(dòng)制程工藝迭代,從2000年左右的180納米工藝,逐步演進(jìn)至如今的3納米量產(chǎn)工藝,甚至已啟動(dòng)2納米技術(shù)研發(fā),在不足指甲蓋大小(約10平方厘米)的芯片上集成數(shù)百億乃至上千億個(gè)晶體管,運(yùn)算效率與能耗比實(shí)現(xiàn)跨越式提升.在被動(dòng)元器件領(lǐng)域,電阻,電容,電感等產(chǎn)品早已從插件式轉(zhuǎn)向貼片式,尺寸從0402封裝(1.0×0.5毫米)向0201封裝(0.6×0.3毫米),01005封裝(0.4×0.2毫米)逐步迭代,而晶振作為時(shí)序控制的核心元件,其尺寸縮小進(jìn)度直接制約著整機(jī)集成度的提升,成為產(chǎn)業(yè)鏈微型化升級(jí)的關(guān)鍵突破口.
IQD晶體:電子世界的"微小巨人"
在晶振領(lǐng)域,IQD憑借五十余年的技術(shù)積淀,成為全球頻率控制領(lǐng)域的標(biāo)桿品牌.該品牌成立于1973年,總部位于英國伯克郡,憑借對(duì)石英晶體材料特性,頻率校準(zhǔn)技術(shù)的深度鉆研,逐步成長為歐洲領(lǐng)先的無源元件制造商,2018年加入WirthElektronik集團(tuán)后,進(jìn)一步整合了全球供應(yīng)鏈與研發(fā)資源,鞏固了其在高端晶振市場的地位.如今,美國IQD進(jìn)口晶振的產(chǎn)品與解決方案已覆蓋全球80多個(gè)國家和地區(qū),廣泛應(yīng)用于航空航天,汽車電子,5G通信,工業(yè)控制,醫(yī)療設(shè)備,消費(fèi)電子等核心領(lǐng)域——從商用級(jí)低成本石英晶體,到滿足AEC-Q200標(biāo)準(zhǔn)的車規(guī)級(jí)晶體振蕩器,再到高精度溫補(bǔ)晶振(TCXO),壓控晶振(VCXO),電壓控制溫補(bǔ)晶振(VC-TCXO)等高端產(chǎn)品,形成了全系列,多場景的產(chǎn)品矩陣,其核心競爭力就在于能夠在尺寸壓縮與性能穩(wěn)定之間找到最優(yōu)平衡,精準(zhǔn)匹配不同行業(yè)的嚴(yán)苛需求.在電子行業(yè)微型化的浪潮中,IQD主動(dòng)布局技術(shù)創(chuàng)新,在晶體尺寸縮小與性能優(yōu)化方面取得了突破性成果,其推出的IQXC-240系列石英晶體,更是成為超小尺寸晶振的標(biāo)桿產(chǎn)品.這款晶體采用超薄設(shè)計(jì),尺寸僅為1.2×1.0毫米,高度低至0.33毫米,相較于傳統(tǒng)2.0×1.6毫米封裝的晶體,體積縮減超60%,完美適配對(duì)空間極致苛刻的微型電子設(shè)備.在性能參數(shù)上,IQXC-240同樣表現(xiàn)出色,頻率范圍覆蓋36MHz至80MHz,恰好匹配物聯(lián)網(wǎng)模塊,USB3.0接口,Wi-Fi6模塊,VGA顯卡等高頻應(yīng)用場景的時(shí)序需求;頻率穩(wěn)定性方面,在-20℃至70℃的商用溫度區(qū)間內(nèi)可低至±10ppm,在-40℃至85℃的工業(yè)寬溫區(qū)間內(nèi)穩(wěn)定在±15ppm,頻率容差最低可達(dá)±7ppm,遠(yuǎn)超普通商用晶振的性能標(biāo)準(zhǔn).此外,該產(chǎn)品針對(duì)新一代微處理器的低功耗需求,將負(fù)載電容優(yōu)化至5pF,搭配陶瓷密封封裝與電子束密封金屬蓋,不僅能有效降低電磁干擾(EMI)輻射,還可承受高達(dá)1000G的沖擊(符合IEC60068-2-27標(biāo)準(zhǔn)),在實(shí)現(xiàn)超小尺寸的同時(shí),兼顧了穩(wěn)定性,抗干擾性與可靠性,打破了"尺寸越小,性能越弱"的行業(yè)固有認(rèn)知.
以小見大:晶體尺寸縮小的背后
IQD晶體尺寸的成功縮小,絕非單純的結(jié)構(gòu)簡化,而是材料科學(xué),精密制造,封裝技術(shù)等多領(lǐng)域創(chuàng)新的協(xié)同成果.在材料層面,IQD研發(fā)團(tuán)隊(duì)摒棄了傳統(tǒng)石英材料的局限,針對(duì)性開發(fā)了高純度,低缺陷的新型石英晶體材料,通過優(yōu)化晶體生長工藝,精準(zhǔn)控制晶格結(jié)構(gòu)的完整性,使材料在尺寸大幅縮減的同時(shí),仍能保持穩(wěn)定的頻率特性.例如,這款新型材料的溫度系數(shù)被優(yōu)化至極低水平,相較于傳統(tǒng)石英材料,溫度每變化1℃的頻率漂移量降低30%以上,確保晶體在手機(jī),可穿戴設(shè)備晶振等頻繁面臨溫度波動(dòng)的場景中,依然能輸出精準(zhǔn)的時(shí)鐘信號(hào),為設(shè)備的穩(wěn)定運(yùn)行提供核心保障.同時(shí),材料的機(jī)械強(qiáng)度也得到顯著提升,能夠適配微型設(shè)備的組裝工藝與日常使用中的輕微沖擊,避免因尺寸縮小導(dǎo)致的易損問題.制造工藝的革新是IQD晶體尺寸縮小的核心支撐,其中光刻技術(shù)的升級(jí)尤為關(guān)鍵.IQD引入了半導(dǎo)體級(jí)精密光刻工藝,將線寬控制精度提升至納米級(jí)別,能夠在晶體表面刻蝕出復(fù)雜度更高,密度更大的電路圖案,實(shí)現(xiàn)晶體內(nèi)部結(jié)構(gòu)的精細(xì)化布局——相較于傳統(tǒng)機(jī)械加工工藝,光刻技術(shù)可使晶體內(nèi)部有效工作區(qū)域的利用率提升40%以上,在縮小整體尺寸的同時(shí),進(jìn)一步優(yōu)化了電氣性能.封裝工藝方面,IQD采用超薄陶瓷封裝材料,厚度僅為傳統(tǒng)封裝材料的1/3,同時(shí)通過三維堆疊設(shè)計(jì),將晶體芯片與輔助元件的布局空間壓縮至極致;搭配電子束密封技術(shù),不僅大幅減小了封裝體積,還能形成嚴(yán)密的防護(hù)屏障,有效隔絕外界濕度,灰塵與電磁干擾,確保晶體在狹小的設(shè)備內(nèi)部環(huán)境中穩(wěn)定工作,兼顧了小型化與可靠性.
市場需求的持續(xù)升級(jí),是推動(dòng)IQD晶體不斷向小型化突破的核心動(dòng)力,其中物聯(lián)網(wǎng)與可穿戴設(shè)備領(lǐng)域的需求最為迫切.在物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域,隨著"萬物互聯(lián)"的深入推進(jìn),海量智能傳感器,微型網(wǎng)關(guān),無線節(jié)點(diǎn)等設(shè)備被廣泛應(yīng)用于智能家居,工業(yè)監(jiān)測,智慧農(nóng)業(yè)等場景,這些設(shè)備往往需要嵌入狹小空間或?qū)崿F(xiàn)便攜部署,對(duì)電子元件的尺寸提出了極致要求.以智能手環(huán),智能手表為代表的可穿戴設(shè)備,內(nèi)部空間通常僅為幾立方厘米,卻需要集成傳感器,處理器,通信模塊,電池等數(shù)十個(gè)元件,晶振作為核心時(shí)序元件,其尺寸每縮小0.1毫米,就能為電池,傳感器等關(guān)鍵模塊騰出更多空間,直接提升設(shè)備的續(xù)航能力與功能密度.例如,某知名品牌的智能手環(huán)通過采用IQD超小尺寸晶體,成功將電池容量提升15%,同時(shí)集成了血糖監(jiān)測功能,顯著增強(qiáng)了產(chǎn)品競爭力.在通信設(shè)備領(lǐng)域,6G通訊衛(wèi)星晶振技術(shù)的規(guī)模化應(yīng)用與6G技術(shù)的前置研發(fā),對(duì)晶振的小型化與高性能提出了雙重要求.5G基站為實(shí)現(xiàn)廣覆蓋與高帶寬,需要在有限的機(jī)柜空間內(nèi)集成大量射頻模塊,信號(hào)處理單元,傳統(tǒng)尺寸的晶振難以適配緊湊的布局需求,而IQD小尺寸晶體的應(yīng)用,使基站模塊的集成度提升20%以上,同時(shí)減少了設(shè)備功耗與散熱壓力.在終端設(shè)備端,5G手機(jī)需要同時(shí)支持多頻段通信,高速數(shù)據(jù)傳輸與多任務(wù)處理,對(duì)時(shí)鐘信號(hào)的精準(zhǔn)度與穩(wěn)定性要求極高,IQD超小尺寸晶體不僅能適配手機(jī)主板的高密度布局,還能通過穩(wěn)定的頻率輸出,確保5G信號(hào)傳輸?shù)牧鲿承?避免因時(shí)序偏差導(dǎo)致的網(wǎng)絡(luò)卡頓,功耗增加等問題.隨著6G技術(shù)向毫米波,太赫茲頻段演進(jìn),終端設(shè)備的集成度將進(jìn)一步提升,對(duì)晶振尺寸的要求也將更為嚴(yán)苛,這也為IQD晶體的持續(xù)小型化提供了明確的研發(fā)方向.
牽一發(fā)而動(dòng)全身:對(duì)電子行業(yè)的深遠(yuǎn)影響
IQD晶體尺寸的縮小,如同投入電子行業(yè)的一顆"石子",激起了全產(chǎn)業(yè)鏈的創(chuàng)新漣漪,為各類電子產(chǎn)品的設(shè)計(jì)升級(jí)帶來了顛覆性變革.在智能手機(jī)領(lǐng)域,主板布局的緊湊度直接決定了產(chǎn)品的輕薄化程度與功能上限,蘋果,華為,三星等頭部品牌的旗艦機(jī)型,主板面積普遍控制在100平方厘米以內(nèi),卻需要集成數(shù)百個(gè)電子元件,IQD小尺寸晶體的應(yīng)用成為破局關(guān)鍵.以iPhone15系列為例,其采用IQD1.2×1.0毫米規(guī)格的晶體后,主板上騰出了約2平方毫米的空間,研發(fā)團(tuán)隊(duì)借此優(yōu)化了電池排線布局,將電池容量提升至4441mAh,同時(shí)為長焦攝像頭模塊預(yù)留了更多安裝空間,使產(chǎn)品在保持7.8毫米超薄機(jī)身的同時(shí),實(shí)現(xiàn)了更強(qiáng)的續(xù)航與影像能力.這種"以小換優(yōu)"的設(shè)計(jì)邏輯,已成為智能手機(jī)行業(yè)的主流趨勢,而IQD晶體則成為支撐這一邏輯的核心元件.在智能穿戴設(shè)備領(lǐng)域,IQD晶體的小型化更是不可或缺的核心支撐.這類設(shè)備的內(nèi)部空間極為有限,以小米手環(huán)8為例,其機(jī)身厚度僅8.9毫米,內(nèi)部可用空間不足5立方厘米,卻需要集成光學(xué)心率傳感器,加速度傳感器,藍(lán)牙通信模塊,顯示屏與電池等組件,對(duì)電子元件的尺寸與功耗要求近乎苛刻.IQD超小尺寸晶體不僅體積足夠小,還通過優(yōu)化電路設(shè)計(jì)將功耗控制在極低水平,相較于傳統(tǒng)晶體功耗降低25%以上,這不僅為手環(huán)集成更多功能創(chuàng)造了條件,還能有效延長電池續(xù)航時(shí)間——搭載該晶體的小米手環(huán)8,常規(guī)使用續(xù)航可達(dá)14天,較采用傳統(tǒng)晶體的前代產(chǎn)品提升3天,大幅優(yōu)化了用戶體驗(yàn).此外,在智能耳機(jī),智能眼鏡等新興穿戴設(shè)備中,IQD晶體的小型化優(yōu)勢同樣顯著,助力設(shè)備實(shí)現(xiàn)更輕便的外觀設(shè)計(jì)與更豐富的功能集成.
在物聯(lián)網(wǎng),智能家居等新興領(lǐng)域,IQD晶體的小型化正在加速技術(shù)普及與場景落地.物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備的核心需求是"微型化,低功耗,廣連接",而穩(wěn)定的時(shí)鐘信號(hào)是實(shí)現(xiàn)設(shè)備間精準(zhǔn)數(shù)據(jù)傳輸?shù)幕A(chǔ),IQD小尺寸晶體憑借體積小,性能穩(wěn),功耗低的優(yōu)勢,完美適配各類物聯(lián)網(wǎng)終端.在智能家居晶振場景中,智能燈泡,智能插座,智能門鎖等設(shè)備通常需要嵌入墻體或采用小型化設(shè)計(jì),傳統(tǒng)尺寸的晶振難以適配,而IQD超小尺寸晶體可輕松集成于設(shè)備內(nèi)部,同時(shí)確保設(shè)備的時(shí)鐘同步精度,實(shí)現(xiàn)家居設(shè)備間的聯(lián)動(dòng)響應(yīng).例如,智能門鎖搭載該晶體后,不僅體積更小巧,安裝更便捷,還能通過精準(zhǔn)的時(shí)序控制,提升指紋識(shí)別,密碼驗(yàn)證與藍(lán)牙通信的響應(yīng)速度,保障使用安全性與流暢性,進(jìn)一步推動(dòng)智能家居從"單品智能"向"全屋智能"升級(jí).在5G通信領(lǐng)域,IQD晶體的小型化與高性能特性,為基站與終端設(shè)備的升級(jí)提供了關(guān)鍵支撐.5G基站需要處理海量并發(fā)數(shù)據(jù),對(duì)信號(hào)處理速度與穩(wěn)定性要求極高,每個(gè)基站內(nèi)部通常集成數(shù)十個(gè)晶振用于時(shí)序控制,小尺寸晶體的應(yīng)用可大幅優(yōu)化基站模塊的布局,提升設(shè)備的集成度與散熱效率,同時(shí)降低基站的整體功耗與運(yùn)維成本.在基站信號(hào)覆蓋方面,小尺寸晶體助力研發(fā)出更小巧的分布式基站與微基站,可靈活部署于城市樓宇,鄉(xiāng)村角落等場景,有效彌補(bǔ)宏基站覆蓋盲區(qū),提升5G網(wǎng)絡(luò)的覆蓋質(zhì)量.在終端設(shè)備端,5G手機(jī),平板電腦等產(chǎn)品通過采用IQD小尺寸晶體,在實(shí)現(xiàn)輕薄化設(shè)計(jì)的同時(shí),確保了高速數(shù)據(jù)傳輸,多頻段切換時(shí)的時(shí)序穩(wěn)定性,避免因時(shí)鐘偏差導(dǎo)致的網(wǎng)絡(luò)斷連,數(shù)據(jù)丟失等問題,為用戶帶來更流暢的5G體驗(yàn).
前路仍漫漫:挑戰(zhàn)與機(jī)遇并存
盡管IQD晶體在尺寸縮小方面已取得顯著成就,但要實(shí)現(xiàn)進(jìn)一步突破,仍需攻克多重技術(shù)瓶頸.在材料領(lǐng)域,隨著晶體尺寸向1.0×0.8毫米及以下級(jí)別邁進(jìn),對(duì)石英材料的純度要求達(dá)到99.9999%以上,任何微小的雜質(zhì)或晶格缺陷,都會(huì)導(dǎo)致晶體頻率穩(wěn)定性大幅下降,如何通過原子級(jí)精準(zhǔn)控制材料成分與結(jié)構(gòu),減少缺陷產(chǎn)生,成為研發(fā)團(tuán)隊(duì)面臨的核心難題.在制造工藝層面,現(xiàn)有光刻技術(shù)的分辨率與套刻精度已接近物理極限,要實(shí)現(xiàn)更小尺寸的電路圖案刻蝕,需要突破傳統(tǒng)光刻技術(shù)的局限,探索極紫外光刻(EUV)等新型工藝,這不僅需要巨額研發(fā)投入,還面臨工藝兼容性,成本控制等問題.此外,散熱問題隨尺寸縮小愈發(fā)突出——晶體工作時(shí)產(chǎn)生的熱量密度會(huì)隨體積縮減呈指數(shù)級(jí)上升,而小尺寸晶體的散熱面積有限,若無法有效散熱,會(huì)導(dǎo)致晶體溫度升高,不僅影響頻率穩(wěn)定性,還可能縮短使用壽命,這一問題在高性能計(jì)算,汽車電子等高溫場景中更為嚴(yán)峻.
這些技術(shù)挑戰(zhàn)的攻克,將為電子行業(yè)開辟全新的發(fā)展空間,帶來多重機(jī)遇.在材料領(lǐng)域,若能實(shí)現(xiàn)高純度石英材料的規(guī)模化量產(chǎn),不僅能推動(dòng)IQD晶體尺寸進(jìn)一步縮小,還能拓展其在航空航天,深海探測,核工業(yè)等極端環(huán)境領(lǐng)域的應(yīng)用——這類場景對(duì)電子元件的穩(wěn)定性與可靠性要求極高,高性能小尺寸晶體可替代傳統(tǒng)大型設(shè)備,實(shí)現(xiàn)探測設(shè)備的微型化與便攜化.在制造工藝層面,突破光刻技術(shù)瓶頸后,IQD晶體尺寸有望縮小至0.8×0.6毫米,甚至更小,推動(dòng)電子設(shè)備向"納米級(jí)集成"方向發(fā)展,為柔性電子,可植入設(shè)備等新興領(lǐng)域提供核心支撐.在散熱技術(shù)突破后,小尺寸晶體可廣泛應(yīng)用于小型高性能晶振計(jì)算,人工智能服務(wù)器等場景,通過穩(wěn)定的時(shí)序控制,提升設(shè)備的運(yùn)算速度與算力密度,助力AI,大數(shù)據(jù)等技術(shù)的快速發(fā)展.同時(shí),技術(shù)突破還能降低小尺寸晶體的制造成本,推動(dòng)其在中低端電子設(shè)備中的普及,進(jìn)一步擴(kuò)大市場規(guī)模.
未來,隨著材料科學(xué),精密制造,散熱技術(shù)的持續(xù)突破,IQD晶體尺寸縮小的趨勢將不可逆,為電子行業(yè)的創(chuàng)新發(fā)展注入源源不斷的動(dòng)力.這種微型化升級(jí)將形成連鎖反應(yīng),推動(dòng)終端設(shè)備不斷迭代——智能手機(jī)將更輕薄便攜,同時(shí)集成更多AI功能;可穿戴設(shè)備將突破形態(tài)限制,實(shí)現(xiàn)與人體的深度融合,如智能貼片,可植入傳感器等;物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備將實(shí)現(xiàn)"隱形化"部署,融入生活與工業(yè)的各個(gè)角落.與此同時(shí),IQD晶體的技術(shù)創(chuàng)新還將帶動(dòng)上下游產(chǎn)業(yè)鏈的協(xié)同升級(jí),倒逼材料供應(yīng)商,制造設(shè)備廠商加大研發(fā)投入,形成良性的產(chǎn)業(yè)生態(tài),最終推動(dòng)電子行業(yè)向更智能,更高效,更便捷的方向邁進(jìn),重塑人類的生產(chǎn)與生活方式.
IQD晶體尺寸縮小的設(shè)計(jì)微型化是電子行業(yè)持續(xù)發(fā)展的趨勢
| LFSPXO022731REEL | IQD 進(jìn)口晶振 | CFPS-73 | XO (Standard) | 100 MHz | HCMOS | 3.3V |
| LFSPXO020462BULK | IQD 進(jìn)口晶振 | CFPS-72 | XO (Standard) | 64 MHz | HCMOS, TTL | 5V |
| LFSPXO009585BULK | IQD 進(jìn)口晶振 | CFPS-69 | XO (Standard) | 12 MHz | CMOS | 3.3V |
| LFSPXO009586BULK | IQD 進(jìn)口晶振 | CFPS-69 | XO (Standard) | 14.7456 MHz | CMOS | 3.3V |
| LFSPXO009590BULK | IQD 進(jìn)口晶振 | CFPS-69 | XO (Standard) | 32 MHz | CMOS | 3.3V |
| LFSPXO083822REEL | IQD 振蕩器 | IQXO-951 3225 | XO (Standard) | 50 MHz | CMOS | 1.62V ~ 3.63V |
| LFSPXO083813REEL | IQD Crystal | IQXO-951 3225 | XO (Standard) | 12 MHz | CMOS | 1.62V ~ 3.63V |
| LFSPXO083818REEL | IQD Crystal | IQXO-951 3225 | XO (Standard) | 24 MHz | CMOS | 1.62V ~ 3.63V |
| LFSPXO083826REEL | IQD Crystal | IQXO-951 2520 | XO (Standard) | 25 MHz | CMOS | 1.62V ~ 3.63V |
| LFSPXO083824REEL | IQD晶振 | IQXO-951 2520 | XO (Standard) | 16 MHz | CMOS | 1.62V ~ 3.63V |
| LFSPXO083832REEL | IQD晶振 | IQXO-951 2016 | XO (Standard) | 25 MHz | CMOS | 1.62V ~ 3.63V |
| LFSPXO076588REEL | IQD晶振 | CFPS-39 | XO (Standard) | 18.432 MHz | CMOS | 3.3V |
| LFSPXO082283RL3K | IQD晶振 | CFPS-102 | XO (Standard) | 32.768 kHz | CMOS | 1.8V |
| LFSPXO076025REEL | IQD晶振 | IQXO-691 3225-12 | XO (Standard) | 26 MHz | CMOS | 1.2V |
| LFSPXO009618BULK | IQD晶振 | CFPS-32 | XO (Standard) | 125 MHz | CMOS | 2.5V |
| LFSPXO009589BULK | IQD晶振 | CFPS-69 | XO (Standard) | 25 MHz | CMOS | 3.3V |
| LFSPXO083815REEL | IQD晶振 | IQXO-951 3225 | XO (Standard) | 16 MHz | CMOS | 1.62V ~ 3.63V |
| LFSPXO083828REEL | IQD Crystal | IQXO-951 2520 | XO (Standard) | 50 MHz | CMOS | 1.62V ~ 3.63V |
| LFSPXO071232REEL | IQD Crystal | CFPS-39 AUTO | XO (Standard) | 24 MHz | CMOS | 3.3V |
| LFSPXO071234REEL | IQD Crystal | CFPS-39 AUTO | XO (Standard) | 25 MHz | CMOS | 3.3V |
| LFSPXO025492REEL | IQD Crystal | CFPS-39 | XO (Standard) | 12 MHz | CMOS | 3.3V |
| LFSPXO025493REEL | IQD Crystal | CFPS-39 | XO (Standard) | 14.31818 MHz | CMOS | 3.3V |
| LFSPXO026368REEL | IQD Crystal | CFPS-39 | XO (Standard) | 27 MHz | CMOS | 3.3V |
| LFSPXO056299REEL | IQD Crystal | IQXO-791 | XO (Standard) | 40 MHz | HCMOS | 3.3V |
| LFSPXO066657REEL | IQD Crystal | IQXO-791 | XO (Standard) | 16 MHz | HCMOS | 3.3V |
| LFSPXO056296REEL | IQD Crystal | IQXO-791 | XO (Standard) | 25 MHz | HCMOS | 3.3V |
| LFSPXO056300REEL | IQD Crystal | IQXO-791 | XO (Standard) | 48 MHz | HCMOS | 3.3V |
| LFSPXO056289REEL | IQD Crystal | IQXO-791 | XO (Standard) | 12 MHz | HCMOS | 3.3V |
| LFSPXO056294REEL | IQD Crystal | IQXO-791 | XO (Standard) | 24 MHz | HCMOS | 3.3V |
| LFSPXO082286RL3K | IQD Crystal | CFPS-104 | XO (Standard) | 32.768 kHz | CMOS | 3.3V |
| LFSPXO072387REEL | IQD Crystal | CFPS-56 AUTO | XO (Standard) | 16 MHz | CMOS | 3.3V |
| LFSPXO071920REEL | IQD Crystal | CFPS-39 | XO (Standard) | 8 MHz | CMOS | 3.3V |
| LFSPXO082294RL3K | IQD Crystal | CFPS-107 | XO (Standard) | 32.768 kHz | CMOS | 3.3V |
| LFSPXO018043REEL | IQD Crystal | CFPS-73 | XO (Standard) | 48 MHz | HCMOS | 3.3V |
| LFSPXO019170REEL | IQD Crystal | CFPS-73 | XO (Standard) | 25 MHz | HCMOS | 3.3V |
| LFSPXO018379REEL | IQD Crystal | CFPS-73 | XO (Standard) | 4 MHz | HCMOS | 3.3V |
| LFSPXO021890REEL | IQD Crystal | CFPS-73 | XO (Standard) | 8 MHz | HCMOS | 3.3V |
| LFSPXO018036REEL | IQD Crystal | CFPS-73 | XO (Standard) | 10 MHz | HCMOS | 3.3V |
| LFSPXO018534REEL | IQD Crystal | CFPS-73 | XO (Standard) | 6 MHz | HCMOS | 3.3V |
| LFSPXO017885REEL | IQD Crystal | CFPS-73 | XO (Standard) | 40 MHz | HCMOS | 3.3V |
| LFSPXO073706REEL | IQD Crystal | IQXO-404 | XO (Standard) | 32.768 kHz | CMOS | 1.8V |
| LFSPXO073700REEL | IQD Crystal | IQXO-402 | XO (Standard) | 32.768 kHz | CMOS | 3.3V |
| LFSPXO073701REEL | IQD Crystal | IQXO-402 | XO (Standard) | 32.768 kHz | CMOS | 3.3V |
| LFSPXO056215REEL | IQD Crystal | IQXO-542 | XO (Standard) | 20 MHz | CMOS | 1.8V |
| LFSPXO018034REEL | IQD Crystal | CFPS-72 | XO (Standard) | 16 MHz | HCMOS, TTL | 5V |
| LFSPXO018032REEL | IQD Crystal | CFPS-72 | XO (Standard) | 20 MHz | HCMOS, TTL | 5V |
| LFSPXO020502REEL | IQD Crystal | CFPS-72 | XO (Standard) | 4 MHz | HCMOS, TTL | 5V |
| LFSPXO025876REEL | IQD Crystal | CFPS-72 | XO (Standard) | 13.56 MHz | HCMOS, TTL | 5V |
| LFSPXO020060REEL | IQD Crystal | CFPS-72 | XO (Standard) | 24 MHz | HCMOS, TTL | 5V |
| LFSPXO052977REEL | IQD Crystal | CFPS-102 | XO (Standard) | 32.768 kHz | CMOS | 1.8V |
| LFSPXO020795REEL | IQD Crystal | CFPS-72 | XO (Standard) | 32 MHz | HCMOS, TTL | 5V |
| LFSPXO018545REEL | IQD Crystal | CFPS-73 | XO (Standard) | 60 MHz | HCMOS | 3.3V |
| LFSPXO071189REEL | IQD Crystal | IQXO-540 AUTO | XO (Standard) | 8 MHz | CMOS | 3.3V |
| LFSPXO071190REEL | IQD Crystal | IQXO-540 AUTO | XO (Standard) | 10 MHz | CMOS | 3.3V |
| LFSPXO071191REEL | IQD Crystal | IQXO-540 AUTO | XO (Standard) | 12 MHz | CMOS | 3.3V |
| LFSPXO076024REEL | IQD Crystal | IQXO-691 3225-12 | XO (Standard) | 25 MHz | CMOS | 1.2V |
| LFSPXO076027REEL | IQD Crystal | IQXO-691 3225-12 | XO (Standard) | 40 MHz | CMOS | 1.2V |
| LFSPXO076023REEL | IQD Crystal | IQXO-691 3225-12 | XO (Standard) | 24 MHz | CMOS | 1.2V |
| LFSPXO009441REEL | IQD Crystal | CFPS-73 | XO (Standard) | 80 MHz | HCMOS | 3.3V |
| LFSPXO009443REEL | IQD Crystal | CFPS-72 | XO (Standard) | 80 MHz | HCMOS, TTL | 5V |
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