規(guī)格型號(hào)：74733538
頻率：16~50MHZ
尺寸：2.0*1.6mm
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產(chǎn)品描述：KVG晶振,XMP-12100晶振,XMP-12132-A1-12pF-20MHz晶振,KVG晶振公司的發(fā)展史展現(xiàn)了晶體產(chǎn)品生產(chǎn)技術(shù)持續(xù)更新發(fā)展的過(guò)程：1968生產(chǎn)溫度補(bǔ)償晶振TCXOs.1970晶體生產(chǎn)中的直接濺鍍.1971整塊晶體濾波器的生產(chǎn).1972生產(chǎn)凸面性...

KVG晶振,XMP-12100晶振,XMP-12132-A1-12pF-20MHz晶振,KVG晶振公司的發(fā)展史展現(xiàn)了晶體產(chǎn)品生產(chǎn)技術(shù)持續(xù)更新發(fā)展的過(guò)程：

1968 生產(chǎn)溫度補(bǔ)償晶振TCXOs.
1970 晶體生產(chǎn)中的直接濺鍍.
1971 整塊晶體濾波器的生產(chǎn).
1972 生產(chǎn)凸面性晶體晶片.
1974 引進(jìn)射線測(cè)量技術(shù)用于切割面角度的測(cè)定.
1979 以電腦為后臺(tái)的晶體溫度測(cè)定.
1981 以計(jì)算機(jī)為支持的TCXO的生產(chǎn).
1983 KVG晶振研發(fā)基于晶體的傳感器和研發(fā)OCXOs.
1987 基于計(jì)算機(jī)控制的質(zhì)量管理體系.
1988 SMD組件的自動(dòng)裝備機(jī).
1999 用HFF晶體生產(chǎn)VCXOs.
2000 建立新生產(chǎn)，用于生產(chǎn)精準(zhǔn)晶體的產(chǎn)品系列.
2002 KVG重塑獨(dú)立實(shí)體.
2003 在晶體振蕩器中使用電子諧頻.
2005 設(shè)計(jì)出低相噪OCXO.
2007 設(shè)計(jì)出航天級(jí)的晶體.
2008 設(shè)計(jì)出航天級(jí)的晶體振蕩器.
2009 建成新的生產(chǎn)設(shè)備.
2010 KVG重組了晶體和振蕩器生產(chǎn)工廠.
2010 設(shè)計(jì)出抗沖擊振動(dòng) OCXOs.
2011 空間晶體得到歐洲航天局的資格認(rèn)證.
2013 以晶體振蕩器XO和VCXO成為歐洲航天局的資格供應(yīng)商.
2014 采用機(jī)械阻尼OCXO模塊.
2015 設(shè)計(jì)出超低相躁RF-OCXO和抗沖擊振動(dòng)OCXO.
在恒溫晶振的領(lǐng)域內(nèi)的新設(shè)計(jì)，如提高抗沖擊振動(dòng)技術(shù)，新的RF TCXO和OCXO,使得在晶體和石英晶體振蕩器的領(lǐng)域再次設(shè)定了標(biāo)準(zhǔn).
主要生產(chǎn)銷售石英晶振,晶體振蕩器,聲表面濾波器等元件.KVG石英晶體廣泛用于電信網(wǎng)絡(luò),儀器設(shè)備,GSP導(dǎo)航等應(yīng)用領(lǐng)域.KVG晶振,XMP-12100晶振,XMP-12132-A1-12pF-20MHz晶振.

KVG晶振規(guī)格	單位	XMP-12100晶振頻率范圍		石英晶振基本條件
標(biāo)準(zhǔn)頻率	f_nom	8~50MHZ,標(biāo)準(zhǔn)頻率：26,30,32MHZ	標(biāo)準(zhǔn)頻率
儲(chǔ)存溫度	T_stg	-55°C ～ +125°C	裸存
工作溫度	T_use	1: -10 to +60 °C 2: -20 to +70 °C 3: -30 to +85 °C 4: -40 to +85 °C	標(biāo)準(zhǔn)溫度
激勵(lì)功率	DL	10µW Max.	推薦:1μW ～ 100μW
頻率公差	f_— l	±50 × 10^-6	+25°C 對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說(shuō)明,請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,http://www.kxsigang.com/
頻率溫度特征	f_tem	±5 × 10^{-6 ，}±10 × 10^-6 ±15 × 10^{-6 ，}±25 × 10^-6	超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們.
負(fù)載電容	CL	≥8 pf ≤ 16 pf	不同負(fù)載要求,請(qǐng)聯(lián)系我們.
串聯(lián)電阻(ESR)	R₁	/	-40°C — +85°C, DL = 100μW
頻率老化	f_age	±3.0 × 10^-6 / year Max.	+25°C,第一年

存儲(chǔ)事項(xiàng)
(1) 在更高或更低溫度或高濕度環(huán)境下長(zhǎng)時(shí)間保存晶體產(chǎn)品時(shí)，會(huì)影響頻率穩(wěn)定性或焊接性。請(qǐng)?jiān)谡囟群蜐穸拳h(huán)境下保存這些晶體產(chǎn)品，并在開(kāi)封后盡可能進(jìn)行安裝，以免長(zhǎng)期儲(chǔ)藏。
正常溫度和濕度：
溫度：+15°C 至 +35°C，濕度 25 % RH 至 85 % RH（請(qǐng)參閱“測(cè)試點(diǎn)JIS C 60068-1 / IEC 60068-1的標(biāo)準(zhǔn)條件”章節(jié)內(nèi)容）。
(2) 請(qǐng)仔細(xì)處理內(nèi)外盒與卷帶。外部壓力會(huì)導(dǎo)致卷帶受到損壞。
安裝時(shí)注意事項(xiàng)
耐焊性
加熱包裝材料至+150°C以上會(huì)破壞產(chǎn)品特性或損害產(chǎn)品。如需在+150°C以上焊接晶體產(chǎn)品，建議使用SMD產(chǎn)品。在下列回流條件下，對(duì)晶體產(chǎn)品甚至SMD產(chǎn)品使用更高溫度，會(huì)破壞產(chǎn)品特性。建議使用下列配置情況的回流條件。安裝這些產(chǎn)品之前，應(yīng)檢查焊接溫度和時(shí)間。同時(shí)，在安裝條件更改的情況下，請(qǐng)?jiān)俅芜M(jìn)行檢查。如果需要焊接的石英晶體產(chǎn)品在下列配置條件下進(jìn)行焊接，請(qǐng)聯(lián)系我們以獲取耐熱的相關(guān)信息。
（1）柱面式產(chǎn)品和DIP產(chǎn)品
型號(hào) 焊接條件
[ 柱面式音叉晶振]
C-類型，C-2-類型，C-4-類型 +280°C或低于@最大值5 s
請(qǐng)勿加熱封裝材料超過(guò)+150°C
[ 柱面式 ]
CA-301
[ DIP ]
SG-51 / 531, SG-8002DB DC,
RTC-72421 / 7301DG +260°C或低于@最大值 10 s
請(qǐng)勿加熱封裝材料超過(guò)+150°C
(2)SMD晶振產(chǎn)品回流焊接條件（實(shí)例）
用于JEDEC J-STD-020D.01回流條件的耐熱可用性需個(gè)別判斷。請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)信息。
盡可能使溫度變化曲線保持平滑。KVG晶振,XMP-12100晶振,XMP-12132-A1-12pF-20MHz晶振.

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