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首頁進(jìn)口晶振愛普生晶振SG2016CAN,X1G0048010058,2016mm,汽車動力轉(zhuǎn)向控制器

    SG2016CAN,X1G0048010058,2016mm,汽車動力轉(zhuǎn)向控制器

  • 規(guī)格型號:11500718
  • 頻率:20MHZ
  • 尺寸:2.0*1.6mm
  • PDF
  • 產(chǎn)品描述:SG2016CAN,X1G0048010058,2016mm,汽車動力轉(zhuǎn)向控制器,編碼X1G0048010058,型號SG2016CAN是一款金屬面貼片型的有源晶振,SPXO振蕩器,高品質(zhì)晶振,高性能晶振,尺寸為2016mm,頻率為20MHZ,支持輸出CMOS,電壓1.6~3.6V...


SG2016CAN,X1G0048010058,2016mm,汽車動力轉(zhuǎn)向控制器,編碼X1G0048010058,型號SG2016CAN是一款金屬面貼片型的有源晶振,SPXO振蕩器,高品質(zhì)晶振,高性能晶振,尺寸為2016mm,頻率為20MHZ,支持輸出CMOS,電壓1.6~3.6V,頻率穩(wěn)定度為50pm,具備高質(zhì)量,低損耗,低抖動低相位的特點(diǎn),廣泛用于羅拉無線模塊,通訊模塊,汽車動力轉(zhuǎn)向控制器等領(lǐng)域.
X1G0048010056貼片晶振晶片邊緣處理技術(shù):貼片晶振是晶片通過滾筒倒邊,主要是為了去除石英晶振晶片的邊緣效應(yīng),在實(shí)際操作中機(jī)器運(yùn)動方式設(shè)計(jì)、滾筒的曲率半徑、滾筒的長短、使用的研磨砂的型號、多少、填充物種類及多少等各項(xiàng)設(shè)計(jì)必須合理,有一項(xiàng)不完善都會使晶振晶片的邊緣效應(yīng)不能去除,而石英晶振晶片的諧振電阻過大,用在電路中Q值過小,從而電路不能振動或振動了不穩(wěn)定.SG2016CAN,X1G0048010058,2016mm,汽車動力轉(zhuǎn)向控制器.

SG2016CAN,X1G0048010058,2016mm,汽車動力轉(zhuǎn)向控制器  參數(shù)表
項(xiàng)目 符號 規(guī)格說明 條件
SG2016CAN
輸出頻率范圍 F0 1.2 MHz ~ 75 MHz 請聯(lián)系我們以便獲取其它可用頻率的相關(guān)信息
    1.6 V ~ 3.63 V 請參考1
工作溫度 T_use  -40 oC ~ +85 °C / -40 oC ~ +105 °C / -40 oC ~ +105 °C 裸存
頻率穩(wěn)定度 f_tol D:   25 × 10-6 ,   -20 oC ~ +70 oC
J:   50 × 10-6  
L    100 × 10-6  
功耗 ICC 3.0 mA Max. 無負(fù)載條件 f0=75MHZ
待機(jī)電流 I_std 2.7 µA Max.    ST=GND
占空比 SYM 40 % ~ 55 % 50% Vcc 極,L_CMOS ≤15pf  
輸出電壓 VOH Vcc -0.4 Min.  
VOL 0.4V Max.  
輸出負(fù)載條件(CMOS) L_CMOS 15 pF Max.  
輸入電壓 VIH 80 % VCC Min. ST 終端
VIL 20 % VCC Max.
上升/下降時間 tr/ tf 4 ns Max. 20% Vcc~80% Vcc 極,L_CMOS ≤15pf 20 % VCC   ~ 80 % VCC
振蕩啟動時間 t_str 3 ms Max. 在 90 % VCC  時,所需時間為 0  秒
 (+105 °C,+125 °C : 5 ms Max.)
頻率老化 f_aging   3    10-6 / year Max. +25 °C,  第一年, VCC=1.8 V, 2.5 V, 3.3 V

SG2016CAN,X1G0048010058,2016mm,汽車動力轉(zhuǎn)向控制器  尺寸圖
編碼 品牌 型號 頻率 尺寸 輸出方式 電源電壓 工作溫度 Freq. Tol./頻率偏差
X1G0048010002 愛普生振蕩器 SG2016CAN 24.000000 MHz 2.00 x 1.60 x 0.70 mm CMOS 1.600 to 3.630 V -40 to 85 °C +/-50 ppm
X1G0048010012 愛普生振蕩器 SG2016CAN 25.000000 MHz 2.00 x 1.60 x 0.70 mm CMOS 1.600 to 3.630 V -40 to 85 °C +/-50 ppm
X1G0048010014 愛普生振蕩器 SG2016CAN 16.000000 MHz 2.00 x 1.60 x 0.70 mm CMOS 1.600 to 3.630 V -40 to 85 °C +/-50 ppm
X1G0048010016 愛普生振蕩器 SG2016CAN 74.250000 MHz 2.00 x 1.60 x 0.70 mm CMOS 1.710 to 3.630 V -40 to 85 °C +/-50 ppm
X1G0048010018 愛普生振蕩器 SG2016CAN 20.000000 MHz 2.00 x 1.60 x 0.70 mm CMOS 1.600 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm
X1G0048010019 愛普生振蕩器 SG2016CAN 72.000000 MHz 2.00 x 1.60 x 0.70 mm CMOS 1.710 to 3.630 V -40 to 85 °C +/-100 ppm
X1G0048010020 愛普生振蕩器 SG2016CAN 48.000000 MHz 2.00 x 1.60 x 0.70 mm CMOS 1.600 to 3.630 V -40 to 85 °C +/-50 ppm
X1G0048010021 愛普生振蕩器 SG2016CAN 27.000000 MHz 2.00 x 1.60 x 0.70 mm CMOS 1.600 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm
X1G0048010022 愛普生振蕩器 SG2016CAN 40.000000 MHz 2.00 x 1.60 x 0.70 mm CMOS 1.600 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-100 ppm
X1G0048010024 愛普生振蕩器 SG2016CAN 25.000000 MHz 2.00 x 1.60 x 0.70 mm CMOS 1.600 to 3.630 V -20 to 70 °C +/-25 ppm
X1G0048010025 愛普生振蕩器 SG2016CAN 38.000000 MHz 2.00 x 1.60 x 0.70 mm CMOS 1.600 to 3.630 V -40 to 85 °C +/-50 ppm
X1G0048010003 愛普生振蕩器 SG2016CAN 26.000000 MHz 2.00 x 1.60 x 0.70 mm CMOS 1.600 to 3.630 V -40 to 85 °C +/-50 ppm
X1G0048010007 愛普生SPXO振蕩器 SG2016CAN 12.000000 MHz 2.00 x 1.60 x 0.70 mm CMOS 1.600 to 3.630 V -40 to 85 °C +/-50 ppm
X1G0048010013 愛普生振蕩器 SG2016CAN 50.000000 MHz 2.00 x 1.60 x 0.70 mm CMOS 1.600 to 3.630 V -40 to 85 °C +/-50 ppm
X1G0048010026 愛普生振蕩器 SG2016CAN 33.333300 MHz 2.00 x 1.60 x 0.70 mm CMOS 1.600 to 3.630 V -40 to 85 °C +/-50 ppm
X1G0048010027 愛普生振蕩器 SG2016CAN 10.000000 MHz 2.00 x 1.60 x 0.70 mm CMOS 1.600 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm
X1G0048010028 愛普生振蕩器 SG2016CAN 50.000000 MHz 2.00 x 1.60 x 0.70 mm CMOS 1.600 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm
X1G0048010029 愛普生振蕩器 SG2016CAN 10.000000 MHz 2.00 x 1.60 x 0.70 mm CMOS 1.600 to 3.630 V -40 to 85 °C +/-50 ppm
X1G0048010030 愛普生振蕩器 SG2016CAN 4.000000 MHz 2.00 x 1.60 x 0.70 mm CMOS 1.600 to 3.630 V -40 to 85 °C +/-50 ppm
X1G0048010031 愛普生振蕩器 SG2016CAN 24.576000 MHz 2.00 x 1.60 x 0.70 mm CMOS 1.600 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm
X1G0048010035 愛普生振蕩器 SG2016CAN 25.000000 MHz 2.00 x 1.60 x 0.70 mm CMOS 1.600 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm
X1G0048010036 愛普生振蕩器 SG2016CAN 40.000000 MHz 2.00 x 1.60 x 0.70 mm CMOS 1.600 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm
X1G0048010039 愛普生振蕩器 SG2016CAN 26.000000 MHz 2.00 x 1.60 x 0.70 mm CMOS 1.600 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm
X1G0048010040 愛普生振蕩器 SG2016CAN 24.000000 MHz 2.00 x 1.60 x 0.70 mm CMOS 1.600 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm
X1G0048010044 愛普生振蕩器 SG2016CAN 12.288000 MHz 2.00 x 1.60 x 0.70 mm CMOS 1.600 to 3.630 V -40 to 85 °C +/-50 ppm
X1G0048010045 愛普生振蕩器 SG2016CAN 8.000000 MHz 2.00 x 1.60 x 0.70 mm CMOS 1.600 to 3.630 V -40 to 85 °C +/-50 ppm
X1G0048010046 愛普生振蕩器 SG2016CAN 8.000000 MHz 2.00 x 1.60 x 0.70 mm CMOS 1.600 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm
X1G0048010049 愛普生振蕩器 SG2016CAN 4.000000 MHz 2.00 x 1.60 x 0.70 mm CMOS 1.600 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm
X1G0048010050 愛普生振蕩器 SG2016CAN 12.000000 MHz 2.00 x 1.60 x 0.70 mm CMOS 1.600 to 3.630 V -20 to 70 °C +/-25 ppm
X1G0048010051 愛普生振蕩器 SG2016CAN 12.000000 MHz 2.00 x 1.60 x 0.70 mm CMOS 1.600 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm
X1G0048010052 愛普生振蕩器 SG2016CAN 12.288000 MHz 2.00 x 1.60 x 0.70 mm CMOS 1.600 to 3.630 V -20 to 70 °C +/-25 ppm
X1G0048010053 愛普生振蕩器 SG2016CAN 12.288000 MHz 2.00 x 1.60 x 0.70 mm CMOS 1.600 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm
X1G0048010054 愛普生振蕩器 SG2016CAN 14.745600 MHz 2.00 x 1.60 x 0.70 mm CMOS 1.600 to 3.630 V -40 to 85 °C +/-50 ppm
X1G0048010055 愛普生振蕩器 SG2016CAN 14.745600 MHz 2.00 x 1.60 x 0.70 mm CMOS 1.600 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm
X1G0048010056 愛普生振蕩器 SG2016CAN 16.000000 MHz 2.00 x 1.60 x 0.70 mm CMOS 1.600 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm
X1G0048010057 愛普生振蕩器 SG2016CAN 20.000000 MHz 2.00 x 1.60 x 0.70 mm CMOS 1.600 to 3.630 V -20 to 70 °C +/-25 ppm
X1G0048010058 愛普生振蕩器 SG2016CAN 20.000000 MHz 2.00 x 1.60 x 0.70 mm CMOS 1.600 to 3.630 V -40 to 85 °C +/-50 ppm
X1G0048010059 愛普生振蕩器 SG2016CAN 24.000000 MHz 2.00 x 1.60 x 0.70 mm CMOS晶體振蕩器 1.600 to 3.630 V -20 to 70 °C +/-25 ppm
X1G0048010060 愛普生振蕩器 SG2016CAN 24.576000 MHz 2.00 x 1.60 x 0.70 mm CMOS 1.600 to 3.630 V -40 to 85 °C +/-50 ppm
X1G0048010061 愛普生振蕩器 SG2016CAN 27.000000 MHz 2.00 x 1.60 x 0.70 mm CMOS 1.600 to 3.630 V -40 to 85 °C +/-50 ppm
X1G0048010062 愛普生振蕩器 SG2016CAN 32.000000 MHz 2.00 x 1.60 x 0.70 mm CMOS 1.600 to 3.630 V -40 to 85 °C +/-50 ppm
X1G0048010063 愛普生振蕩器 SG2016CAN 32.000000 MHz 2.00 x 1.60 x 0.70 mm CMOS 1.600 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm
X1G0048010064 愛普生振蕩器 SG2016CAN 33.330000 MHz 2.00 x 1.60 x 0.70 mm CMOS 1.600 to 3.630 V -40 to 85 °C +/-50 ppm
X1G0048010065 愛普生振蕩器 SG2016CAN 33.330000 MHz 2.00 x 1.60 x 0.70 mm CMOS 1.600 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm
X1G0048010066 愛普生振蕩器 SG2016CAN 33.333300 MHz 2.00 x 1.60 x 0.70 mm CMOS 1.600 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm
X1G0048010067 愛普生振蕩器 SG2016CAN 40.000000 MHz 2.00 x 1.60 x 0.70 mm CMOS 1.600 to 3.630 V -40 to 85 °C +/-50 ppm
X1G0048010068 愛普生振蕩器 SG2016CAN 48.000000 MHz 2.00 x 1.60 x 0.70 mm CMOS 1.600 to 3.630 V -20 to 70 °C +/-25 ppm
X1G0048010069 愛普生振蕩器 SG2016CAN 48.000000 MHz 2.00 x 1.60 x 0.70 mm CMOS 1.600 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm
X1G0048010070 愛普生振蕩器 SG2016CAN 50.000000 MHz 2.00 x 1.60 x 0.70 mm CMOS 1.600 to 3.630 V -20 to 70 °C +/-25 ppm
X1G0048010071 愛普生振蕩器 SG2016CAN 72.000000 MHz 2.00 x 1.60 x 0.70 mm CMOS 1.710 to 3.630 V -20 to 70 °C +/-25 ppm
X1G0048010072 愛普生振蕩器 SG2016CAN 72.000000 MHz 2.00 x 1.60 x 0.70 mm CMOS 1.710 to 3.630 V -40 to 85 °C +/-50 ppm
X1G0048010073 愛普生振蕩器 SG2016CAN 72.000000 MHz 2.00 x 1.60 x 0.70 mm CMOS 2.250 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm
X1G0048010076 愛普生振蕩器 SG2016CAN 32.000000 MHz 2.00 x 1.60 x 0.70 mm CMOS 1.600 to 3.630 V -20 to 70 °C +/-25 ppm
X1G0048010077 愛普生振蕩器 SG2016CAN 26.000000 MHz 2.00 x 1.60 x 0.70 mm CMOS 1.600 to 3.630 V -20 to 70 °C +/-25 ppm

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